ULSI Devices

C. Y. Chang (Edited by), CY Chang (Author), Simon M. Sze (Edited by)

9780471240679, Wiley

Hardback, published 9 May 2000

744 pages
24.4 x 16.1 x 3.9 cm, 1.17 kg

"the production standard and component chapters is characteristically high" (Contemporary Physics, Vol.42, No. 4 2001)

Ultrahoch integrierte Schaltkreise (ULSI) - die nächste Schaltkreisgeneration - werden zwar noch nicht industriell eingesetzt, sind aber das Objekt intensiver Forschungsarbeit. Sie versprechen Vorteile im Stromverbrauch, arbeiten bei niedrigerer Spannung und sind schneller. Die Herausgeber dieses Buches haben die bekanntesten Forscher auf dem Gebiet der Schaltkreise gewonnen, um jeweils ein Kapitel zu ihrem eigenen Spezialgebiet zu schreiben. Kompetent und hochaktuell! (01/00)

Introduction (C. Chang & S. Sze).

DEVICE FUNDAMENTALS.

Bipolar Transistor Fundamentals (E. Kasper).

MOSFET Fundamentals (P. Wong).

Device Miniaturization and Simulation (S. Banerjee & B. Streetman).

DEVICE BUILDING BLOCKS AND ADVANCED DEVICE STRUCTURES.

SOI and Three-Dimensional Structures. (J. Colinge).

The Hot-Carrier Effect (B. Doyle).

DRAM and SRAM (S. Shichijo).

Nonvolatile Memory (J. Caywood & G. Derbenwich).

CIRCUIT BUILDING BLOCKS AND SYSTEM-IN-CHIP CONCEPT.

CMOS Digital and Analog Building Block Circuits for Mixed-Signal Applications (D. Pehlke & M. Chang).

High-Speed or Low-Voltage, Low-Power Operations (I. Chen & W. Liu).

System-on-Chip Concepts (M. Pelgrom).

Appendices.

Index.

Subject Areas: Electronics & communications engineering [TJ]