Fundamentals of III-V Devices
HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs

William Liu (Author)

9780471297000, Wiley

Hardback, published 23 April 1999

520 pages
24.3 x 16.6 x 3.7 cm, 0.855 kg

HBT-Transistoren, die sich durch Schnelligkeit und geringen Stromverbrauch auszeichnen, sind herkömmlichen bipolaren Silicium-Transistoren weit überlegen. Sie eignen sich ideal für drahtlose Kommunikation und Mobiltelephonie und werden daher gegenwärtig intensiv erforscht. Diese Einführung ist so verständlich formuliert, daß der Leser keinerlei Vorkenntnisse der Bauelementephysik benötigt. Geboten wird auch neues Material zu Feldeffekttransistoren. (04/99)

Basic Properties and Device Physics of III-V Materials.

Two-Terminal Heterojunction Devices.

HBT D.C. Characteristics.

HBT High-Frequency Properties.

FET D.C. Characteristics.

FET High-Frequency Properties.

Transistor Fabrication and Device Comparison.

Appendices.

Index.

Subject Areas: Electronics & communications engineering [TJ]